《半导体光电》简介
《半导体光电》(双月刊)1976年创刊，志在立足于社会效益，面向经济建设;推广交流光子技术、光电子技术，传播光学、光子学、量子电子学、光电子学专业技术知识、活跃学术气氛;提倡学术性与实用性并重，注意到各专业领域的交叉、延伸和相互渗透。它以光子器件理论、制造技术和系统应用为主，并兼顾到与光子学、量子电子学、光电子学领域相关的理论和技术;以发展我国高科技产业为依托，拓宽光电子技术新水平。《半导体光电》主管单位：信息产业部，主办单位：中国电子科技集团公司第四十四研究所(重庆光电技术研究所)，国内统一刊号：50-1092/TN，国际标准刊号：1001-5868
《半导体光电》推行“三特”的办刊方针，即期刊要有特点，文章要有特色，作者要有特长。选题和组稿是我刊工作的重要环节，是提高科技期刊可读性，改善期刊质量的关键。多年来，我刊在众多院士、专家、学者的关怀和指导下已形成一支经常与编辑部联系的通讯编委、通讯员、作者群队伍，为刊物质量的提高打下了坚实的基础。本刊主要刊载半导体光子器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件及国内外本专业的研究和发展方向。
《半导体光电》收录情况
国家新闻出版总署收录 维普网、万方数据库、知网数据库、化学文摘(网络版)、文摘与引文数据库、物理学、电技术、计算机及控制信息数据库、日本科学技术振兴机构中国文献数据库收录
《半导体光电》中文核心期刊：
1992-2011年连续6届中文核心期刊(中文核心期刊(1992)、中文核心期刊(1996)、中文核心期刊(2000)、中文核心期刊(2004)、中文核心期刊(2008)、中文核心期刊(2011))
《半导体光电》影响因子：
截止2014年万方：影响因子：0.261;总被引频次：561
截止2014年知网：复合影响因子：0.354;综合影响因子：0.235
《半导体光电》栏目设置
动态综述、光电器件、材料、结构及工艺、光通信、光电技术应用。
《半导体光电》投稿须知
1.来稿要求论点明确、数据可靠、逻辑严密、文字精炼，每篇论文必须包括题目、作者姓名、作者单位、单位所在地及邮政编码、摘要和关键词、正文、参考文献和第一作者及通讯作者(一般为导师)简介(包括姓名、性别、职称、出生年月、所获学位、目前主要从事的工作和研究方向)，在文稿的首页地脚处注明论文属何项目、何基金(编号)资助，没有的不注明。
2.论文摘要尽量写成报道性文摘，包括目的、方法、结果、结论4方面内容(100字左右)，应具有独立性与自含性，关键词选择贴近文义的规范性单词或组合词(3～5个)。
3.文稿篇幅(含图表)一般不超过5000字，一个版面2500字内。文中量和单位的使用请参照中华人民共和国法定计量单位最新标准。外文字符必须分清大、小写，正、斜体，黑、白体，上下角标应区别明显。
4.文中的图、表应有自明性。图片不超过2幅，图像要清晰，层次要分明。
5.参考文献的著录格式采用顺序编码制，请按文中出现的先后顺序编号。所引文献必须是作者直接阅读参考过的、最主要的、公开出版文献。未公开发表的、且很有必要引用的，请采用脚注方式标明，参考文献不少于3条。
6.来稿勿一稿多投。收到稿件之后，5个工作日内审稿，电子邮件回复作者。重点稿件将送同行专家审阅。如果10日内没有收到拟用稿通知(特别需要者可寄送纸质录用通知)，则请与本部联系确认。
7.来稿文责自负。所有作者应对稿件内容和署名无异议，稿件内容不得抄袭或重复发表。对来稿有权作技术性和文字性修改，杂志一个版面2500字，二个版面5000字左右。作者需要安排版面数，出刊日期，是否加急等情况，请在邮件投稿时作特别说明。
8.请作者自留备份稿，本部不退稿。
9.论文一经发表，赠送当期样刊1-2册，需快递的联系本部。
10.请在文稿后面注明稿件联系人的姓名、工作单位、详细联系地址、电话(包括手机)、邮编等信息，以便联系有关事宜。
《半导体光电》杂志2016 年02期收录论文目录：
基于有限元方法的光纤加速度计灵敏度仿真分析 ……………………………………………………肖昭;罗洪;熊水东;
掺硼p型晶硅太阳电池LID恢复研究 ………………………………………………陈健生;董方;杨德仁;包大新;赵锋;傅晓敏;
InAs/GaAs量子点中间带太阳电池的理论研究与优化……………………………………………… 潘保瑞;唐吉玉;朱永安;何右青;陆旭兵;
光纤光栅外腔半导体激光器的线宽特性研究 ………………………………………………刘大鹏;陈超;秦莉;张星;陈泳屹;曾真;宁永强;
新型有机电致蓝色磷光器件的研究 ………………………………………………王振;汪静静;甘林;柳菲;郑新;王婷;王培;王巍;
基于斜台面工艺的背照式GaN雪崩探测器制备 ………………………………………………叶嗣荣;周勋;李艳炯;申志辉;
CCD多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响 ………………………………………………刘秀娟;廖乃镘;
线阵碲镉汞探测器致损单元反常响应机理研究 ………………………………………………杨海峰;王睿;邱伟成;王毕艺;许中杰;程湘爱;
半导体激光器等效电路模型及其参数提取 ………………………………………………王晴岚;徐利;
无抖动机械式光开关结构设计 ………………………………………………李长安;江毅;全本庆;肖清明;
采用Taguchi方法优化一种带外延层的PPD工艺参数……………………………………………… 徐渊;陆河辉;刘诗琪;
尾纤模块研磨轨迹的仿真及实验研究……………………………………………… 张轩;陈淑英;李慧鹏;宋凝芳;
散热结构拓扑优化目标函数适用性讨论 ………………………………………………侯丽园;丁晓红;
空芯带隙型光子晶体光纤残余双折射特性研究 ………………………………………………李彦;王旭;徐小斌;王庆涛;
Cl掺杂对n-Cu_2O的光电性能的影响 ………………………………………………谢思思;鲁双伟;马文利;杨峰;席金芳;邹龙生;蔡芳共;程翠华;赵勇;阚香;张勇;
Drude-Lorentz色散模型研究光学Tamm态的性质 ………………………………………………蒋和伦;刘启能;
氧敏化对多晶PbSe薄膜结构和电学性能的影响 ………………………………………………郑尚喆;程建荣;郑建邦;
低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究 ………………………………………………王凯;邢艳辉;韩军;赵康康;郭立建;于保宁;李影智;
范文：线阵碲镉汞探测器致损单元反常响应机理研究
【摘要】：用1 064nm皮秒脉冲激光辐照PV型线阵HgCdTe探测器,随着激光能量的增大,探测单元出现了不同程度的损伤,发现了致损单元的反常响应现象,致损单元响区蓝移,对波长为1 064nm的光响应灵敏度明显增强。结果表明:受损单元p型碲镉汞层出现汞析出现象后,受损光敏元碲镉汞材料组分和载流子浓度发生变化,pn结耗尽层宽度的变化导致pn结等效电阻变化,这是导致芯片损伤单元出现反常响应的主要因素。研究发现受损光敏元随着碲镉汞材料组分增大,碲镉汞材料能带禁带宽度增大,使探测器响区出现蓝移现象,这是损伤单元对波长为1 064nm激光响应更加灵敏的主要原因。
【关键词】： HgCdTe线阵探测器 激光 反常响应 耗尽层电阻 响区蓝移 禁带宽度